<rp id="wdn6h"><object id="wdn6h"><input id="wdn6h"></input></object></rp>

    •  
          1. 

  
  

  
          

    
    
    

    
    
          
      
          

        
          
          
          
            
          
                
          資訊中心
          News Center
          
                
            
          
          
          

          
          
            
          
              您現在所在位置：首頁 > 資訊中心  > 行業要聞
            
          
            
          
              
          
                                
          
                    
                      
                     
                    
          FLOSFIA解決氧化鎵的P層問題
          
                    
          世界上首次通過超寬禁帶P型半導體“氧化銥鎵”組合的構造，成功證實了結勢壘效應。
          
                    2023-02-27 10:28:55
                  
          
                                
          
                    
                      
                     
                    
          共摻雜有望實現超高效白色Ga?O? LED
          
                    
          今天白色LED的巨大成功不應掩蓋其弱點。常見的架構是用藍色發光芯片泵浦黃色熒光粉，這導致了幾個缺點，包括顯色指數低、Stokes能量轉換損耗和熱穩定性降低。
          
                    2023-02-27 10:28:03
                  
          
                                
          
                    
                      
                     
                    
          β型—氧化鎵晶體中晶格缺陷的無損檢測
          
                    
            2022年12月日本JFCC宣布了與NCT和兵庫大學合作，成功地利用異常的X射線透射現象，在短時間內以非破壞性的方式檢測并觀察到厚度約為0.7mm的β-氧化鎵（β-Ga2O3）晶體內的所有晶格缺陷
          
                    2023-02-27 10:27:34
                  
          
                                
          
                    
                      
                     
                    
          從電容瞬變中研究β-Ga2O3襯底材料的缺陷
          
                    
          β-Ga2O3是一種寬帶隙半導體材料，預計將極大地影響下一代電力電子、射頻電子和傳感設備。這種材料的電子缺陷是目前可預見的未來限制最先進設備性能的最緊迫問題之一。
          
                    2023-02-27 10:27:15
                  
          
                                
          
                    
                      
                     
                    
          世界首次氧化鎵反型DI-MOS晶體管開發取得重大進展
          
                    
          世界首次氧化鎵反型DI-MOS晶體管試制在開發氧化鎵功率晶體管方面已經取得重大進展
          
                    2023-02-27 10:26:59
                  
          
                                
          
                    
                      
                     
                    
          浙大科創中心新技術路線制備2英寸氧化鎵
          
                    
          浙大科創中心新技術路線制備2英寸氧化鎵
          
                    2023-02-27 10:26:46
                  
          
                                
          
                    
                      
                     
                    
          功率半導體氧化鎵到底是什么？
          
                    
          隨著應用需求的發展愈加明朗，未來對高功率器件的性能要求越來越高，這使得人們更深切地看到了氧化鎵的優勢和前景。
          
                    2023-02-27 10:26:34
                  
          
                                
          
                    
                      
                     
                    
          第四代半導體氧化鎵的機遇與挑戰
          
                    
          SiC 和 GaN 并不是終點，近年來日本對氧化鎵(Ga2O3，后簡稱GaO，與Ga圖：在電流和電壓需求方面Si，SiC，GaN對照)的研究屢次取得進展，使這種第四代半導體的代表材料走入了人們的視野。
          
                    2023-02-27 10:26:16
                  
          
                              
          
              
          
            
          
          
          

        
          

      
          
    
          

  
          

  
  
  

  

  
  
  
  
  
  
  

  
  
  


国内精品一区二区三区不卡