從電容瞬變中研究β-Ga2O3襯底材料的缺陷

近日，美國空軍實驗室（AFRL）在學術期刊Journal of Vacuum Science & Technology B上投稿了一篇名為《Investigation of a defect in the β-Ga₂O₃ substrate material from capacitance transients》的論文文章。論文簡要內容為β-Ga₂O₃是一種寬帶隙半導體材料，預計將極大地影響下一代電力電子、射頻電子和傳感設備。這種材料的電子缺陷是目前可預見的未來限制最先進設備性能的最緊迫問題之一。這些缺陷會影響Ga₂O₃晶體管的摻雜補償、泄漏電流和閾值穩定性。我們使用比傳統的深層次瞬時光譜技術有實質性改進的匹配阿倫尼烏斯方程投影技術對β-Ga₂O₃寬禁帶半導體傳導帶邊緣~0.8eV的缺陷進行研究。開發了可繞過速率窗處理和阿倫尼烏斯作圖法來提取缺陷的活化能E_a和試圖逃逸的頻率ν₀的實驗技術。該技術只需要時域中的原始電容瞬態。電容瞬變在溫度和時間域之間以及在E_a和ν₀域之間進行投影。E_a和ν₀的提取是通過將投影和實驗電容瞬態相互匹配來實現。

論文原稿：

本文轉載自公眾號：CJGO 中日氧化鎵產業技術交流